ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGWT30V60F, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGWT30V60F, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGWT30V60F, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGWT30V60F
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1387616
Технические параметры
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO-3P
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
15.8мм
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Power Dissipation
260 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5мм
Height
20.1мм
Pin Count
2
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STGWT30V60F , pdf
, 1472 КБ