STGWT30H60DFB, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 330 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGWT30H60DFB

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1387614

Технические параметры

Производитель

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Длина

15.8мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное рассеяние мощности

260 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

14.1мм

Число контактов

Размеры

15.8 x 5 x 14.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5мм

STGWT30H60DFB, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 330 руб.