STF21NM60ND, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0.22 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 66 нКл; Pрасс: 30 Вт
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 220 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1387444

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.456

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

17 А

Package Type

TO-220FP

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Ширина

4.6мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.4mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Series

FDmesh

Максимальное сопротивление сток-исток

220 мΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Through Hole

Длина

10.4мм

Тип корпуса

TO-220FP

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Power Dissipation

30 W

Width

4.6mm

Height

16.4mm

Maximum Drain Source Resistance

220 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

...21NM60ND , pdf , 1390 КБ

STF21NM60ND - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация