ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD5N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD5N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD5N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Последняя цена
91 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD5N80K5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1387110
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Package Type
DPAK
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
2.17мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
STMicroelectronics
Максимальное сопротивление сток-исток
1.73 Ω
Pin Count
3
Тип канала
N
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Типичный заряд затвора при Vgs
5 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.2мм
Channel Mode
Поднятие
Forward Diode Voltage
1.5V
Техническая документация
Datasheet STD5N80K5 , pdf
, 629 КБ