ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SQ2364EES-T1_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2 А, 0.19 Ом, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SQ2364EES-T1_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2 А, 0.19 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SQ2364EES-T1_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2 А, 0.19 Ом, SOT-23, Surface Mount
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SQ2364EES-T1_GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1382876
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
2А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.19Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
600мВ
Transistor Mounting
Surface Mount
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
TrenchFET Series
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
3 W
Qg - заряд затвора
2.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
240 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
460 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns
Время спада
13 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
8.8 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
26 ns
Типичное время задержки при включении
6 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
SOT-23-3
Техническая документация
Datasheet SQ2364EES-T1_GE3 , pdf
, 161 КБ
Datasheet SQ2364EES-T1_GE3 , pdf
, 161 КБ