ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SMBTA42E6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 500 мА, 360 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SMBTA42E6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 500 мА, 360 мВт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SMBTA42E6327HTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 500 мА, 360 мВт, SOT-23, Surface Mount
Последняя цена
72 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Высоковольтные транзисторы, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SMBTA42E6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1377882
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
300В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
360мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
25hFE
Частота Перехода ft
70МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
2
Base Product Number
MBTA42 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
70MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
360mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
AEC-Q101
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Высота
1мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
70 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Техническая документация
Datasheet SMBTA42E6327HTSA1 , pdf
, 526 КБ