SISH114ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 35 А, 0.0062 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 95 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SISH114ADN-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374722

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212

Рассеиваемая Мощность

39Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

35А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0062Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

Линейка Продукции

TrenchFET Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Максимальный непрерывный ток стока

35 А

Package Type

PowerPAK 1212-SH

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.3мм

Length

3.3мм

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

9,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

35 A

Pd - рассеивание мощности

39 W

Qg - заряд затвора

32 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

7 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET; PowerPAK

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

50 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

PowerPAK-1212-8SH-8

Transistor Configuration

Одинарный

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

21 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Number of Elements per Chip

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.93мм

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Техническая документация

Datasheet SISH114ADN-T1-GE3 , pdf , 147 КБ
Datasheet , pdf , 148 КБ

SISH114ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 35 А, 0.0062 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 95 руб.

Техническая документация