SISA01DN-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374709

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.1249

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

52 W

Qg - заряд затвора

56 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.9 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6 ns

Время спада

10 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET, PowerPAK

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

39 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

PowerPAK-1212-8

Техническая документация

Datasheet SISA01DN-T1-GE3 , pdf , 180 КБ
Datasheet SISA01DN-T1-GE3 , pdf , 178 КБ

SISA01DN-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация