ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SiHD3N50D-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SiHD3N50D-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SiHD3N50D-GE3
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
N-канальный полевой МОП-транзистор, серия D, высокое напряжение, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1374389
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное рассеяние мощности
104 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.38mm
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
6.73mm
Brand
Vishay
Series
D Series
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Тип канала
N
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Поднятие
