ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIDR104ADP-T1-RE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIDR104ADP-T1-RE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIDR104ADP-T1-RE3
Последняя цена
430 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CHANNEL 100 V
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1374284
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность
100Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
81А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0049Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Surface Mount
Линейка Продукции
TrenchFET Gen IV Series
Максимальный непрерывный ток стока
81 A
Package Type
PowerPAK SO-8DC
Количество элементов на ИС
1
Brand
Vishay
Pin Count
8
Номер канала
Поднятие
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SIDR
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Drain Source Resistance
0.0061 O
Maximum Drain Source Voltage
100 В
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet SIDR104ADP-T1-RE3 , pdf
, 173 КБ