ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI9435BDY-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI9435BDY-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI9435BDY-T1-GE3
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1374195
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.187
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
5.7 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
42 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Другие названия товара №
SI9435BDY-GE3
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
SI9
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
SO-8
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 177 КБ
Datasheet SI9435BDY-T1-GE3 , pdf
, 245 КБ