ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI3493BDV-T1-GE3, MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI3493BDV-T1-GE3, MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI3493BDV-T1-GE3, MOSFET
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
МОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI3493BDV-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1373913
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TSOP6
Максимальное рассеяние мощности
2,97 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Vishay
Pin Count
6
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
3.1мм
Другие названия товара №
SI3493BDV-GE3
Категория продукта
МОП-транзистор
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI3
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
TSOP-6
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.4V
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
45 мОм
Maximum Drain Source Voltage
20 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single Quad Drain
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
27.5@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
20
Maximum Gate Source Voltage (V)
±8
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
2080
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
NRND
PCB changed
6
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOP
Supplier Package
TSOP
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1805@10V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
29@5V|26.2@4.5V
Typical Fall Time (ns)
84
Typical Rise Time (ns)
72
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
75
Typical Turn-On Delay Time (ns)
22
Automotive
No
Military
No
Package Height
1(Max)
Package Length
3.05
Package Width
1.65
Максимальное пороговое напряжение включения
-0.9V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 198 КБ