SI2337DS-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 56 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1373897

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.02

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Минимальная рабочая температура

50 C

Id - непрерывный ток утечки

2.2 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

17 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

270 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

12 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2337DS-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.2A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

760mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

80V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 241 КБ
Datasheet SI2337DS-T1-E3 , pdf , 251 КБ
Datasheet , pdf , 256 КБ

SI2337DS-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 56 руб.

Техническая документация