SI2304BDS-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 16 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ

МОП-транзистор 30V 3.2A 0.07Ohm

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1373886

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.01

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

2.6 A

Pd - рассеивание мощности

750 mW

Qg - заряд затвора

2.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

70 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12.5 ns

Время спада

15 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2304BDS-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

7.5 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.6A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

750mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet SI2304BDS-T1-E3 , pdf , 190 КБ
Datasheet SI2304BDS-T1-E3 , pdf , 187 КБ
Datasheet , pdf , 191 КБ

SI2304BDS-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 16 руб.

Техническая документация