ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCT3160KLHRC11 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
SCT3160KLHRC11
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCT3160KLHRC11
Последняя цена
2200 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 1200V 17A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370704
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
SCT3160 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 18V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
398pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
103W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247N
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 2.5mA
Id - непрерывный ток утечки
17 A
Pd - рассеивание мощности
103 W
Qg - заряд затвора
42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
4 V, + 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
18 ns
Время спада
25 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
2.5 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
30
Серия
SCT3x
Технология
SiC
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet SCT3160KLHRC11 , pdf
, 1937 КБ
Datasheet SCT3160KLHRC11 , pdf
, 965 КБ
