ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCT3030ALHRC11 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
SCT3030ALHRC11
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCT3030ALHRC11
Последняя цена
7410 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 650V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370686
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
SCT3030 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 18V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1526pF @ 500V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247N
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Id - непрерывный ток утечки
70 A
Pd - рассеивание мощности
262 W
Qg - заряд затвора
104 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
30 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
4 V, + 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
41 ns
Время спада
27 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
9.4 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
30
Серия
SCT3x
Технология
SiC
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
48 ns
Типичное время задержки при включении
22 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet SCT3030ALHRC11 , pdf
, 1929 КБ
Datasheet SCT3030ALHRC11 , pdf
, 895 КБ
