ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RSQ045N03HZGTR - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RSQ045N03HZGTR
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RSQ045N03HZGTR
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 4.5A
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1364266
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
4.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 W
Qg - заряд затвора
6.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
19 ns
Время спада
14 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3.5 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
41 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SC-95-6
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet RSQ045N03HZGTR , pdf
, 1595 КБ
Datasheet RSQ045N03HZGTR , pdf
, 1571 КБ