PZT3904T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: SOT223, АБ

Биполярные транзисторы - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1341586

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.193

Base Product Number

PZT3904 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.3 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

40 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7mm

Maximum DC Collector Current

200 mA

Height

1.65mm

Pin Count

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

70@1mA@1V|100@10mA@1V|40@0.1mA@1V|30@100mA@1V|60@50mA@1V

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.57 mm

Длина

6.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

PZT3904

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.5 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,3 В пост. тока

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.95@5mA@50mA|0.85@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@5mA@50mA|0.2@1mA@10mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Power Dissipation (mW)

1500

Maximum Transition Frequency (MHz)

300(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.95 V dc

Тип корпуса

SOT-223

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet , pdf , 214 КБ
Datasheet PZT3904T1G , pdf , 211 КБ

PZT3904T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 7 руб.

Техническая документация