ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMN30UNX - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMN30UNX
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PMN30UNX
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1335365
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.0125
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
PMN30 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-74, SOT-457
Power Dissipation (Max)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.5A, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSOP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±12V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
5.7 A
Pd - рассеивание мощности
1.24 W
Qg - заряд затвора
12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Другие названия товара №
934069334115
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
TSOP-6
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet PMN30UNX , pdf
, 750 КБ
Datasheet PMN30UNX , pdf
, 327 КБ
Datasheet PMN30UNX , pdf
, 749 КБ
