ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS4021NZ,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS4021NZ,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS4021NZ,115
Последняя цена
53 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 20V 8A 95MHz 2,6W Surface Mount SOT-223
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1329440
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
PBSS4021 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 4A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
95MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2.6W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
170mV @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Pd - рассеивание мощности
770 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
95 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
120 mV
Техническая документация
Datasheet PBSS4021NZ,115 , pdf
, 727 КБ
Datasheet PBSS4021NZ.115 , pdf
, 717 КБ
Datasheet PBSS4021NZ,115 , pdf
, 191 КБ