ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NVMFS5H663NLT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NVMFS5H663NLT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NVMFS5H663NLT1G
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор T8 60V LOW COSS
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324626
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.1072
Максимальный непрерывный ток стока
67 A
Package Type
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
1.05мм
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
10 мΩ
Pin Count
5
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Id - непрерывный ток утечки
67 A
Pd - рассеивание мощности
63 W
Qg - заряд затвора
17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
52.7 ns
Время спада
9.5 ns
Длина
5.1мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
64 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
26.2 ns
Типичное время задержки при включении
13.4 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SO-8
Упаковка
Reel, Cut Tape
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Power Dissipation
63 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Квалификация
AEC-Q101
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet NVMFS5H663NLT1G , pdf
, 176 КБ
