ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NVB082N65S3F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NVB082N65S3F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NVB082N65S3F
Последняя цена
1500 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Single N-Channel Power МОП-транзистор SUPERFET III, FRFET , 650 V , 40 A, 82 mO, D2PAK
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324566
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
1.485
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Package Type
D2PAK
Максимальное рассеяние мощности
313 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.58мм
Length
10.67мм
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±30 В
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
313 W
Qg - заряд затвора
81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
82 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
29 ns
Время спада
16 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET III
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
24 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
800
Серия
SuperFET3
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
76 ns
Типичное время задержки при включении
31 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
D2PAK-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Transistor Configuration
Одинарный
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65мм
Maximum Drain Source Voltage
650 В
Квалификация
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.3V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet NVB082N65S3F , pdf
, 235 КБ
