NTR4171PT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Power MOSFET 30V 3.5A 75 mOhm Single P-Channel SOT-23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1324384

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.03

Максимальный непрерывный ток стока

3.5 A

Максимальное рассеяние мощности

1,25 W

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.01

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

0,15 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

25 нс, 32 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8 нс, 9 нс

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

720 pF@ -15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

Datasheet NTR4171PT1G , pdf , 137 КБ

NTR4171PT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация