ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS5H419NLT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS5H419NLT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS5H419NLT1G
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор T8 40V LOW COSS
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324297
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.1072
Package Type
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
1.05мм
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
5
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Id - непрерывный ток утечки
155 A
Pd - рассеивание мощности
89 W
Qg - заряд затвора
45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
56 ns
Время спада
15 ns
Длина
5.1мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
80 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
DFN-5
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
155 А
Maximum Power Dissipation
89 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
3,1 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 В
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Техническая документация
Datasheet NTMFS5H419NLT1G , pdf
, 171 КБ
