ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS5C646NLT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS5C646NLT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS5C646NLT1G
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1500, корпус: DFN5, АБ
МОП-транзистор NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324291
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.2
Максимальный непрерывный ток стока
89 А
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Высота
1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
6,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
89 A
Pd - рассеивание мощности
66 W
Qg - заряд затвора
15.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14.9 ns
Время спада
5.1 ns
Длина
6.1мм
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
23,6 нс
Типичное время задержки при включении
10.4 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SO-FL-8
Тип корпуса
SO-8FL
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.05мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10,4 нс
Производитель
ON Semiconductor
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
33.7 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2164 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet NTMFS5C646NLT1G , pdf
, 118 КБ
