NSVF4017SG4T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 99 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторы

РЧ биполярные транзисторы BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1323591

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

12 В

Dimensions

2 x 1.6 x 0.85мм

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

Bipolar

Pd - рассеивание мощности

450 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

2 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-82FL-4

Технология

Максимальное рассеяние мощности

450 мВт

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

1 ГГц

Число контактов

Тип корпуса

SC-82FL

Рабочая частота

10 GHz

Техническая документация

Datasheet NSVF4017SG4T1G , pdf , 829 КБ

NSVF4017SG4T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 99 руб.

Техническая документация