NSV60601MZ4T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1323577

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.112

Base Product Number

NSV60601 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

800mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 600mA, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.3 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 В

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7мм

Maximum DC Collector Current

6 A

Height

1.65мм

Pin Count

3+Tab

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

6 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

NSS60601MZ4

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

360 at 1 A at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.085 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9@0.1A@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.22@60mA@3A|0.06@0.1A@1A|0.1@0.2A@2A|0.3@0.6A@6A|0.04@2mA@0.1A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V dc

Automotive Standard

AEC-Q101

Supplier Temperature Grade

Automotive

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 114 КБ
Datasheet , pdf , 198 КБ

NSV60601MZ4T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация