MMUN2232LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Transistor; Transistor Type: Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current, Ic: 0.1A; Base Input Resistor, R1: 4700ohm; Base-Emitter Resistor, R2: 4700ohm
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 246 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 15, Коэффициент усиления по току, max 30

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1308249

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMUN2232 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

246mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Pd - рассеивание мощности

400 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2232L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23 (Pb-Free)-3

Ширина

1.3мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

4,7 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

4.7 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Типичный коэффициент резистора

Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

4.7 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 391 КБ
Datasheet , pdf , 388 КБ

MMUN2232LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация