MMUN2216LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+

Цифровые транзисторы с одним резистором, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1308245

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMUN2216 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

400mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,25 В

Number of Elements per Chip

Length

2.9мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Package Type

SOT-23

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.94мм

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Pd - рассеивание мощности

246 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

160

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2216L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

160

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

160

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

4,7 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

4.7 kOhms

Typical Resistor Ratio

Нет

Типичный коэффициент резистора

Нет, пусто

Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 386 КБ
Datasheet , pdf , 383 КБ

MMUN2216LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация