MMBTH10-4LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 999 А, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 52 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 25V VHF Mixer NPN

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

MMBTH10-4LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1307484

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

25В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

225мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

999А

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Частота Перехода ft

800МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.07

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

3 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBTH10L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

800 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet MMBTH10-4LT1G , pdf , 92 КБ
Datasheet MMBTH10-4LT1G , pdf , 151 КБ

MMBTH10-4LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 999 А, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 52 руб.

Техническая документация