MMBT589LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Switching PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1307466

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.02

Base Product Number

MMBT589 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

310mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 200mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

-30 V dc

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

710 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

Height

1.01мм

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V dc

Minimum DC Current Gain

100@1mA@2V|80@1A@2V|100@500mA@2V|40@2A@2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

310mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.01mm

Длина

3.04мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBT589L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0.65 V dc

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@0.1A@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.05A@0.5mA|0.3@0.1A@1A|0.65@0.2A@2A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

710

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-30 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V dc

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1.2 V dc

Maximum Continuous Collector Current

-1 A

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Automotive Standard

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet MMBT589LT1G , pdf , 167 КБ
Datasheet MMBT589LT1G , pdf , 103 КБ
Datasheet , pdf , 106 КБ

MMBT589LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация