MMBT5087LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 50мА; 225мВт; SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 14 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

• Низкое RDS (ВКЛ.) обеспечивает более высокую эффективность и продлевает срок службы батареи
• Экономит место на плате

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBT5087LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1307459

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

Base Product Number

MMBT5087 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

50mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100ВµA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

40MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.3 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

20 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

-50 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Maximum DC Collector Current

50 (Continuous) mA

Height

1.01mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

-3 V

Minimum DC Current Gain

250@1mA@5V|250@10mA@5V|250@100uA@5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

300mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

250

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.05 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

3 V

Непрерывный коллекторный ток

0.05 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBT5087L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

40 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,3 В пост. тока

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.85@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@1mA@10mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.05

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

40(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 В

Максимальная рабочая частота

20 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.85 V dc

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0.85 V dc

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Техническая документация

Datasheet MMBT5087LT1G , pdf , 97 КБ
Datasheet MMBT5087LT1G , pdf , 291 КБ
Datasheet , pdf , 226 КБ
Datasheet , pdf , 230 КБ

MMBT5087LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 50мА; 225мВт; SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 14 руб.

Техническая документация