MMBT2222ALP4-7B, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 600mA 300MHz 460mW Surface Mount X2-DFN1006-3

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1307441

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Base Product Number

MMBT2222 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

600mA

Current - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

3-XFDFN

Power - Max

460mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

X2-DFN1006-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|40@500mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|75@10mA@10V

Максимальное напряжение коллектор-база

75 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

1.05 x 0.65 x 0.35мм

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.35мм

Длина

1.05мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

35 at 100 uA, 10 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.6 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

75 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

600 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

MMBT2222

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

X2-DFN1006-3

Ширина

0.65мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

300 at 150 mA, 10 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1@50mA@500mA|0.3@15mA@150mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.6

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Maximum Transition Frequency (MHz)

300(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

DFN

Supplier Package

X2-DFN

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.35(Max)

Package Length

0.6

Package Width

PCB changed

Lead Shape

No Lead

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-40 В

Максимальный пост. ток коллектора

600 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

DFN

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Техническая документация

Datasheet MMBT2222ALP4-7B , pdf , 147 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B , pdf , 150 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B , pdf , 151 КБ

MMBT2222ALP4-7B - характеристики, поставщики

Последняя цена 7 руб.

Техническая документация