MJH11022G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305558

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

7.98

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Package / Case

TO-247

Transistor Type

NPN

Transistor Polarity

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

16.26mm

Maximum Collector Base Voltage

250 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

250 В

Package Type

TO-247

Maximum Power Dissipation

150 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

5.3мм

Maximum DC Collector Current

15 A

Height

21.08mm

Pin Count

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

100

Pd - Power Dissipation

150 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

NPN

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.08мм

Высота

21.08мм

Длина

16.26мм

Ширина

5.3мм

Series

MJH11022

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Darlington Transistors

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

250

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

250

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

3.8@150mA@15A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

4@150mA@15A|2.5@100mA@10A

Maximum Power Dissipation (mW)

150000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-247

Supplier Package

TO-247

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

21.08(Max)

Package Length

16.26(Max)

Package Width

5.3(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Manufacturer

ON Semiconductor

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

3.8 V

Maximum Collector Cut-off Current

5mA

Maximum Continuous Collector Current

15 А

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

3.8 V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Collector- Base Voltage VCBO

250 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

250 V

Continuous Collector Current

15 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

100, 400

DC Current Gain HFE Max

15000

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Factory Pack Quantity

Mounting Style

Through Hole

Product Type

Darlington Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.229281 oz

Техническая документация

Datasheet MJH11017G , pdf , 100 КБ

MJH11022G - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация