MJE5731G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Биполярные транзисторы - BJT 1A 350V 40W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1305539

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

2.667

Base Product Number

MJE5731 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

10MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

40W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

2 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.28mm

Maximum Collector Base Voltage

350 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

350 V

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

40 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.82mm

Maximum DC Collector Current

1 A

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Pd - Power Dissipation

40W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Размеры

10.28 x 4.82 x 15.75мм

Pd - рассеивание мощности

40 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

350 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJE5731

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

10 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

350

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

350

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1@0.2A@1A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

40000

Maximum Transition Frequency (MHz)

10(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

9.28(Max)

Package Length

10.53(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

2 МГц

Число контактов

Техническая документация

Datasheet , pdf , 227 КБ
Datasheet MJE5731G , pdf , 225 КБ
Datasheet , pdf , 77 КБ

MJE5731G - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация