ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD32CT4G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD32CT4G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD32CT4G
Последняя цена
57 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: DPAK-3, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1305495
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.46
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current
3 A
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
25@1A@4V|10@3A@4V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
1.56W
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Pd - рассеивание мощности
1.56 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.38мм
Длина
6.73мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
MJD32C
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.22мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
3 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1.2@375mA@3A
Maximum DC Collector Current (A)
3
Maximum Power Dissipation (mW)
1560
Maximum Transition Frequency (MHz)
3(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.38(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
3 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 96 КБ
