IXYX100N120C3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1254026

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

PLUS247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

IXYS

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS247в„ў-3

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

16.13мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

188 A

Максимальное рассеяние мощности

1,15 кВт

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

21.34мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.34мм

Скорость переключения

50кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Current - Collector (Ic) (Max)

188A

Current - Collector Pulsed (Icm)

490A

Gate Charge

270nC

Power - Max

1150W

Switching Energy

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

32ns/123ns

Test Condition

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Страна происхождения

Ширина

5.21мм

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

1150 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.9 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

188 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

188 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Серия

IXYX100N120C3

Технология

Series

GenX3в„ў, XPTв„ў ->

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYX100N120C3_Datasheet.PDF , pdf , 203 КБ
Datasheet IXYX100N120C3 , pdf , 201 КБ
Datasheet IXYX100N120C3 , pdf , 201 КБ

IXYX100N120C3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3570 руб.

Техническая документация