ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYH40N120C3D1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYH40N120C3D1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXYH40N120C3D1
Последняя цена
2050 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT 1200V 64A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1254018
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
IXYS
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247 (IXYH)
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток коллектора
64 A
Максимальное рассеяние мощности
480 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Число контактов
3
Скорость переключения
50кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
64A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105A
Gate Charge
85nC
Power - Max
480W
Switching Energy
3.9mJ (on), 660ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
24ns/125ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
195ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание мощности
480 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
64 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
64 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Серия
IXYH40N120
Технология
Si
Series
GenX3в„ў, XPTв„ў ->
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXYH40N120C3D1 , pdf
, 223 КБ
Datasheet IXYH40N120C3D1 , pdf
, 262 КБ
