IXGT30N120B3D1, IGBT, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 950 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXGT30N120B3D1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1253964

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип корпуса

TO-268

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Brand

IXYS

Base Product Number

IXG*30N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Длина

16.05мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

5.1мм

Число контактов

Размеры

16.05 x 14 x 5.1мм

Current - Collector Pulsed (Icm)

150A

Gate Charge

87nC

Power - Max

300W

Switching Energy

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

16ns/127ns

Test Condition

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

Ширина

14мм

Series

GenX3в„ў ->

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 217 КБ

IXGT30N120B3D1, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 950 руб.

Техническая документация