IXA70I1200NA, IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2650 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXA70I1200NA

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1253861

Технические параметры

Тип корпуса

SOT-227B

Brand

IXYS

Package Type

SOT-227B

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

38.23mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Power Dissipation

350 W

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

25.25mm

Height

9.6mm

Pin Count

Dimensions

38.23 x 25.25 x 9.6mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 А

Минимальная рабочая температура

55 C

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

100A

Power - Max

350W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Максимальная рабочая температура

+125 °C

IGBT Type

Конфигурация

Single

Configuration

Single

Pd - рассеивание мощности

350 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

100 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Ток утечки затвор-эмиттер

500 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

SOT-227B-4

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

Input

Standard

NTC Thermistor

Продукт

IGBT Silicon Modules

Серия

IXA70I1200NA

Технология

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXA70I1200NA , pdf , 177 КБ

IXA70I1200NA, IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B - характеристики, поставщики

Последняя цена 2650 руб.

Техническая документация