IRF830AS, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 430 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1252380

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263(D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

3.1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500В

Непрерывный Ток Стока

5А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

1.4Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.67mm

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Типичное время задержки выключения

21 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

620 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.65mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Datasheet , pdf , 181 КБ

IRF830AS - характеристики, поставщики

Последняя цена 430 руб.

Техническая документация