ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPU80R4K5P7AKMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPU80R4K5P7AKMA1
Последняя цена
36 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 75, корпус: TO251, АБ
МОП-транзистор
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1252135
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.748
Ширина
2.38 mm
Высота
6.22 mm
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
50 C
Base Product Number
IPU80R4 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 500V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)
13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200ВµA
FET Feature
Super Junction
Id - непрерывный ток утечки
1.5 A
Pd - рассеивание мощности
13 W
Qg - заряд затвора
4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
80 ns
Длина
6.73 mm
Другие названия товара №
IPU80R4K5P7 SP001422748
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Серия
CoolMOS P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-251-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPU80R4K5P7AKMA1 , pdf
, 1232 КБ
Datasheet IPU80R4K5P7AKMA1 , pdf
, 1249 КБ
Datasheet IPU80R4K5P7AKMA1 , pdf
, 1417 КБ
