IPP60R145CFD7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 690 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251909

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.037

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPP60R145 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

16A (Tc)

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Id - непрерывный ток утечки

16 A

Pd - рассеивание мощности

83 W

Qg - заряд затвора

31 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

145 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

18 ns

Время спада

7.2 ns

Другие названия товара №

IPP60R145CFD7 SP001715646

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

71 ns

Типичное время задержки при включении

27 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 278 КБ
Datasheet IPP60R145CFD7XKSA1 , pdf , 1503 КБ
Datasheet IPP60R145CFD7XKSA1 , pdf , 1625 КБ

IPP60R145CFD7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 690 руб.

Техническая документация