ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMB10AT110 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
IMB10AT110
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
IMB10AT110
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 300 мВт SMT6 для поверхностного монтажа
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1250955
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Base Product Number
IMB10 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-74, SOT-457
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SMT6
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
55 C
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
IMB10A
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Ширина
1.6 mm
Другие названия товара №
IMB10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.048
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Техническая документация
Datasheet IMB10AT110 , pdf
, 1662 КБ
Datasheet , pdf
, 1662 КБ
Datasheet IMB10AT110 , pdf
, 1688 КБ
