ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW30N65WR5XKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW30N65WR5XKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW30N65WR5XKSA1, IGBT
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKW30N65WR5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249795
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IKW30N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
16.13mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
650 В
Maximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Power Dissipation
185 W
Energy Rating
1.32mJ
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
21.1mm
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Switching Speed
60kHz
Channel Type
N
Gate Capacitance
3700pF
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 А
Максимальное рассеяние мощности
185 Вт
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Скорость переключения
60кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
3700пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
Gate Charge
155nC
Power - Max
185W
Switching Energy
990ВµJ (on), 330ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
39ns/367ns
Test Condition
400V, 15A, 26Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
95ns
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench
Ширина
5.21mm
Количество транзисторов
1
Number of Transistors
1
DC Ток Коллектора
60А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.4В
Рассеиваемая Мощность
185Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Series
TrenchStopв„ў ->
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Линейка Продукции
TRENCHSTOP 5 Series
Техническая документация
Datasheet IKW30N65WR5XKSA1 , pdf
, 1909 КБ
Datasheet IKW30N65WR5XKSA1 , pdf
, 1863 КБ
