ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT560TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT560TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT560TA
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1235898
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.22
Base Product Number
FZT560 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
60MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,5 В
Maximum Operating Frequency
60 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum Power Dissipation
2 Вт
Maximum DC Collector Current
150mA
Pin Count
4
Dimensions
1.65 x 6.7 x 3.7mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
80@50mA@10V|100@1mA@10V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
500V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
500 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Размеры
1.65 x 6.7 x 3.7мм
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
500
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
500
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9@10mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@10mA@50mA|0.2@2mA@20mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.15
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
60(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.6
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
500 V
Максимальный пост. ток коллектора
150 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
60 MHz
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Техническая документация
Datasheet FZT560TA , pdf
, 622 КБ
Datasheet , pdf
, 670 КБ