FQPF20N06L, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 60V N-Channel QFET Logic Level

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1234141

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.27

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

15.7 A

Package Type

TO-220F

Максимальное рассеяние мощности

30 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.9 mm

Высота

16.07 mm

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.16мм

Brand

ON Semiconductor

Series

QFET

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

55 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 5 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FQPF2 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

15.7A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 7.85A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

15.7 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

42 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

156 ns

Время спада

70 ns

Длина

10.36 mm

Другие названия товара №

FQPF20N06L_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FQPF20N06L

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

480 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

15.7 A

Maximum Power Dissipation

30 Вт

Height

9.19mm

Maximum Drain Source Resistance

55 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet FQPF20N06L , pdf , 573 КБ
Datasheet FQPF20N06L , pdf , 575 КБ

FQPF20N06L - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация