FQA70N10, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-3P, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 70 А, 214W

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий заряд затвора 85 нКл
• Типичный низкий коэффициент сопротивления 150 пФ

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1234047

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

6.95

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5мм

Высота

18.9мм

Количество элементов на ИС

Series

QFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FQA7 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 35A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

70 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

25 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

470 ns

Время спада

160 ns

Длина

15.8мм

Другие названия товара №

FQA70N10_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

48 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

QFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-3PN

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

30 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

85 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2500 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

70A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

214W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQA70N10 , pdf , 2472 КБ
Datasheet FQA70N10 , pdf , 4266 КБ
Datasheet FQA70N10 , pdf , 2467 КБ
Datasheet , pdf , 2466 КБ

FQA70N10 - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация