ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FJE3303H2TU - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FJE3303H2TU
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FJE3303H2TU
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 70 0V/1.5A
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1231687
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.761
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 В
Maximum Operating Frequency
4 MHz
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
400 В
Package Type
TO-126
Width
3.25mm
Maximum DC Collector Current
1,5 A
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
9 В
Minimum DC Current Gain
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Pd - Power Dissipation
20W
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Размеры
8 x 3.25 x 11mm
Pd - рассеивание мощности
20 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
11 mm
Длина
8 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
8
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
700 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
400 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
9 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1920
Серия
FJE3303
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-126-3
Ширина
3.25 mm
Другие названия товара №
FJE3303H2TU_NL
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
4 MHz
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 221 КБ
Datasheet , pdf
, 219 КБ
