ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDPF8D5N10C - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDPF8D5N10C
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDPF8D5N10C
Последняя цена
690 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1230207
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.861
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220F
Ширина
4.9mm
Высота
16.07mm
Length
10.36mm
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Id - непрерывный ток утечки
76 A
Pd - рассеивание мощности
35 W
Qg - заряд затвора
34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
11 ns
Время спада
4 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
68 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
18 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Power Dissipation
35 Вт
Maximum Drain Source Resistance
8,5 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Техническая документация
Datasheet FDPF8D5N10C , pdf
, 947 КБ
